ROF Si фотодетектор с регулируемым коэффициентом усиления Кремниевый фотодетектор
Особенность
Спектральный диапазон: 320 нм ~ 1100 нм
Полоса пропускания 3 дБ: до 11 МГц
Максимальное усиление: 4,75×10⁶ В/А (высокоимпедансная нагрузка)
низкий уровень шума
l Пространственный оптический вход, оптоволоконное соединение опционально
Приложение
слабое обнаружение света
волоконно-оптическая сенсорная система
Космическая оптическая связь
Информация для заказа
| Модель Параметр | РОФ-PR-11M-B | РОФ-PR-13M-A |
| Частота ответа | DC-11 МГц | DC-13 МГц |
| Тип | Кремний (Si) | Арсенид индия-галлия (InGaAs) |
| Чувствительность к свету 1 | 320 нм~1100 нм | 900 нм~1700 нм |
| Фоточувствительная область | Ø9,8 мм (75,4 мм)2 ) | Ø1,0 мм (0,8 мм)2 ) |
Примечание 1: Приблизительное значение; фактическое значение длины волны может отличаться.
Параметры
| Технические характеристики 2 (KG-PR-11M-B) | |||
| 0 дБ параметр | 40 дБ параметр | ||
| Усиление (высокое сопротивление > 5 кОм) | 1,50 x 103V/A ±2% | Усиление (высокое сопротивление > 5 кОм) | 1,50 x 105V/A ±2% |
| Усиление (50 Ом) | 0,75 x 103V/A ±2% | Усиление (50 Ом) | 0,75 x 105V/A ±2% |
| Полоса пропускания 3 дБ 3 | 11 МГц | Полоса пропускания 3 дБ | 150 тыс. |
| Шум (среднеквадратичное значение) | 400 мкВ | Шум (среднеквадратичное значение) | 500 мкВ |
| предвзятость | ±8 мВ (тип.) ±20 мВ (макс.) | предвзятость | ±8 мВ (тип.) ±20 мВ (макс.) |
| 10 дБ параметр | 50 дБ параметр | ||
| Усиление (высокое сопротивление > 5 кОм) | 4,75 x 103V/A ±2% | Усиление (высокое сопротивление > 5 кОм) | 4,75 x 105V/A ±2% |
| Усиление (50 Ом) | 2,38 x 103V/A ±2% | Усиление (50 Ом) | 2,38 x 105V/A ±2% |
| Полоса пропускания 3 дБ | 1,4 МГц | Полоса пропускания 3 дБ | 50 тыс. |
| Шум (среднеквадратичное значение) | 350 мкВ | Шум (среднеквадратичное значение) | 520 мкВ |
| предвзятость | ±8 мВ (тип.) ±20 мВ (макс.) | предвзятость | ±8 мВ (тип.) ±20 мВ (макс.) |
| 20 дБ параметр | 60 дБ параметр | ||
| Усиление (высокое сопротивление > 5 кОм) | 1,50 x 104V/A ±2% | Усиление (высокое сопротивление > 5 кОм) | 1,50 x 106V/A ±2% |
| Усиление (50 Ом) | 0,75 x 104V/A ±2% | Усиление (50 Ом) | 0,75 x 106V/A ±2% |
| Полоса пропускания 3 дБ | 1,0 МГц | Полоса пропускания 3 дБ | 20K |
| Шум (среднеквадратичное значение) | 380 мкВ | Шум (среднеквадратичное значение) | 760 мкВ |
| предвзятость | ±8 мВ (тип.) ±20 мВ (макс.) | предвзятость | ±8 мВ (тип.) ±20 мВ (макс.) |
| 30 дБ параметр | 70 дБ параметр | ||
| Усиление (высокое сопротивление > 5 кОм) | 4,75 x 104V/A ±2% | Усиление (высокое сопротивление > 5 кОм) | 4,75 x 106V/A ±2% |
| Усиление (50 Ом) | 2,38 x 104V/A ±2% | Усиление (50 Ом) | 2,38 x 106V/A ±2% |
| Полоса пропускания 3 дБ | 400 тыс. | Полоса пропускания 3 дБ | 10K |
| Шум (среднеквадратичное значение) | 380 мкВ | Шум (среднеквадратичное значение) | 1,43 мВ |
| предвзятость | ±8 мВ (тип.) ±20 мВ (макс.) | предвзятость | ±8 мВ (тип.) ±20 мВ (макс.) |
Примечание 2:РОФ-PR-11M-B имеет последовательно включенный оконечный резистор 50 Ом (т.е. подключенный последовательно с выходом усилителя). Это образует делитель напряжения с любым сопротивлением нагрузки (например, с нагрузкой 50 Ом, разделяющей сигнал пополам).
Примечание 3: Проводите тест на длине волны 850 нм. Для ближнего инфракрасного диапазона время нарастания сигнала фотодиодных компонентов будет замедляться, что может ограничить эффективную полосу пропускания усилительного детектора.
Общие параметры
| Проект | сим | ценить |
| Тип детектора | - | Si |
| Фоточувствительная поверхность | - | Ø9,8 мм (75,4 мм)2 ) |
| Пиковая длина волны | λp | 960 нм (тип.) |
| Пиковый отклик | Â( λ p) | 0,72 А/Вт (тип.) |
| Выходное сопротивление | - | 50 Ом |
| Максимальная амплитуда выходного тока | IMAX | 100 мА |
| Максимальная амплитуда выходного напряжения | Vmax | 10,00 В при высоком импедансе, 5,00 В при нагрузке 50 Ом |
| Диапазон нагрузки | - | >50 Ом |
| Диапазон регулировки усиления | - | 0 дБ~70 дБ |
| Шаг вперед | - | 10 дБ |
| выключатель питания | - | сторона |
| переключатель усиления | - | 8-я передача |
| Выход | - | SMA (постояннотоковая связь) |
| Размеры изделия | - | 66,6 мм * 52,2 мм * 22,4 мм |
| Глубина поверхности ПД 4 | - | 6,1 мм |
| Вес (без учета аксессуаров) | - | 70 г |
| Аксессуары | - | Муфта SM1T1, стопорное кольцо SM1RR |
| Источник питания | - | Адаптер переменного/постоянного тока ± 12 В |
| Мощность блока питания | - | 6 Вт 100 В/120 В/230 В, 50-60 Гц |
Примечание 4: Приблизительная высота от поверхности корпуса до поверхности фотодиода может привести к ошибкам при установке на практике.
Предельное условие
| Параметр | сим | Единица | Мин | Типичный | Макс |
| Входная оптическая мощность | Приколоть | mW | - | - | 25 |
| Рабочее напряжение | Воп | V | ±10,8 | ±12 | ±13,2 |
| Рабочая температура | Вершина | ºC | -10 | - | 60 |
| Температура хранения | Тст | ºC | -40 | - | 85 |
| влажность | RH | % | 5 | - | 90 |
Изгиб
Характеристическая кривая
РОФДиаграмма зависимости чувствительности от характеристик -PR-11M-B
Размер упаковки (мм)
О нас
Компания Rofea Optoelectronics представляет широкий ассортимент электрооптической продукции, включая модуляторы, фотодетекторы, лазерные источники, DFB-лазеры, оптические усилители, EDFA, SLD-лазеры, модуляцию QPSK, импульсные лазеры, фотодетекторы, балансные фотодетекторы, полупроводниковые лазеры, драйверы лазеров, волоконные соединители, импульсные лазеры, волоконные усилители, оптические измерители мощности, широкополосные лазеры, перестраиваемые лазеры, оптические задержки, электрооптические модуляторы, фотодетекторы, драйверы лазерных диодов, волоконные усилители, эрбиевые волоконные усилители и лазерные источники.
Мы также предлагаем модуляторы, изготовленные на заказ, включая фазовые модуляторы с матрицей 1*4, модуляторы со сверхнизким Vpi и сверхвысоким коэффициентом подавления, специально разработанные для университетов и исследовательских институтов.
Эти изделия обладают электрооптической полосой пропускания до 40 ГГц, диапазоном длин волн от 780 нм до 2000 нм, низкими вносимыми потерями, низким пиковым напряжением и высоким коэффициентом персептрона, что делает их подходящими для различных аналоговых радиочастотных линий связи и высокоскоростных коммуникационных приложений.
Компания Rofea Optoelectronics предлагает широкий ассортимент коммерческих электрооптических модуляторов, фазовых модуляторов, модуляторов интенсивности, фотодетекторов, лазерных источников света, DFB-лазеров, оптических усилителей, EDFA, SLD-лазеров, QPSK-модуляторов, импульсных лазеров, детекторов света, балансных фотодетекторов, драйверов лазеров, волоконно-оптических усилителей, оптических измерителей мощности, широкополосных лазеров, перестраиваемых лазеров, оптических детекторов, драйверов лазерных диодов и волоконно-оптических усилителей. Мы также предлагаем множество специализированных модуляторов для индивидуальной настройки, таких как фазовые модуляторы с матрицей 1*4, модуляторы со сверхнизким Vpi и модуляторы со сверхвысоким коэффициентом подавления, которые в основном используются в университетах и институтах.
Надеемся, наша продукция окажется полезной для вас и ваших исследований.
