Модулятор интенсивности Rof, тонкопленочный модулятор ниобата лития, модулятор 40G TFLN.

Краткое описание:

Тонкопленочный ниобат лития на диэлектрической подложке (LNOI) наследует превосходные электрооптические свойства объемных материалов на основе ниобата лития, предоставляя новое решение для высокоскоростных электрооптических модуляторных чипов, которые могут быть интегрированы, миниатюризированы и обладать высокой эффективностью модуляции. Мы разработали широкополосный электрооптический модулятор на основе тонкопленочного LiNbO3 с низким полуволновым напряжением на основе материала LNOI. Наш продукт обладает превосходными характеристиками высокой стабильности, низкими вносимыми потерями и малыми размерами, что делает его более выгодным по сравнению с традиционными модуляторами на основе объемных материалов из ниобата лития и открывает широкие перспективы применения в высокоскоростной оптической связи и микроволновой фотонике.

Отправьте нам электронное письмо СКАЧАТЬ

Подробная информация о товаре

Компания Rofea Optoelectronics предлагает продукцию в области оптических и фотонных электрооптических модуляторов.

Метки товаров

Особенность

Высокая пропускная способность, низкие потери, низкое управляющее напряжение, малый размер, высокая стабильность.

Поле

Высокоскоростная оптическая связь, микроволновая фотоника, радар и т. д.

Модулятор интенсивности Rof EOM 20G, тонкопленочный модулятор ниобата лития, модулятор TFLN

Параметр

Pпараметр	Sym	индикатор	Единица
рабочая длина волны	λ	1530–1565	nm
Оптические потери на вставке	IL	≤ 5,5 (Тип 4,5)	dB
коэффициент затухания	ER	≥ 25	dB
Оптические потери на отражение	RL	≤ -30	dB
Максимальная входная оптическая мощность	P_in	≤ 200	mW
Полоса пропускания электрооптической модуляции (3 дБ, от 2 ГГц)	BW	≥ 40	ГГц
ВЧ полуволновое напряжение при 50 кГц	Vπ	≤ 3,5	V
Отражение радиочастотного излучения	S₁₁	≤ -10	dB
Максимальная входная мощность ВЧ	S_in	≤ 25	дБм
Тепловое смещение полуволновой мощности	Пπ	50	mW
Тепловое напряжение смещения	U_{обогреватель}	< 8	V
Рабочая температура	T_O	-55~85	℃
Температура хранения	T_S	-55~85	℃

Информация о заказе

Sym	Dописание	Необязательный параметр
λ	рабочая длина волны	C (~1550 нм)，O (~1310 нм)
BW	Полоса пропускания 3 дБ	40 (40 ГГц)
PD	Мониторинг ПД	1 (интегрированный), 0 (неинтегрированный)
IF	Входной оптоволоконный кабель	P (волокно, сохраняющее поляризацию)
OF	Выходной оптоволоконный кабель	P (волокно, сохраняющее поляризацию), S (стандартное одномодовое волокно)
S	Напряжение полуволны	стандарт S

Размер корпуса и определение контактов

Pпо определению:

Sстежок	Fпомазание
RF	ВЧ-вход, гнездо 1,85 мм
A	Термостатический электрод смещения (положительный и отрицательный)
B	Термостатический электрод смещения
C	Резервный электрод смещения для терморегулировки
D	Резервный электрод смещения для терморегулировки

Предыдущий: Высокоскоростной электрооптический фазовый модулятор с длиной волны 2000 нм и длиной волны 2 мкм.

Следующий: ROF Si фотодетектор с регулируемым коэффициентом усиления Кремниевый фотодетектор

Компания Rofea Optoelectronics предлагает широкий ассортимент коммерческих электрооптических модуляторов, фазовых модуляторов, модуляторов интенсивности, фотодетекторов, лазерных источников света, DFB-лазеров, оптических усилителей, EDFA, SLD-лазеров, QPSK-модуляторов, импульсных лазеров, детекторов света, балансных фотодетекторов, драйверов лазеров, волоконно-оптических усилителей, оптических измерителей мощности, широкополосных лазеров, перестраиваемых лазеров, оптических детекторов, драйверов лазерных диодов и волоконно-оптических усилителей. Мы также предлагаем множество специализированных модуляторов для индивидуальной настройки, таких как фазовые модуляторы с матрицей 1*4, модуляторы со сверхнизким Vpi и модуляторы со сверхвысоким коэффициентом подавления, которые в основном используются в университетах и институтах.
Надеемся, наша продукция окажется полезной для вас и ваших исследований.

Сопутствующие товары