мощный одночастотный синий лазер с длиной волны 457 нм

457 нм высокомощный одночастотныйсиний лазер
Проектирование оптического тракта мощного одночастотного синего лазера с длиной волны 457 нм.
В качестве источника накачки используется 30-ваттная волоконно-оптическая лазерная диодная матрица. Во-вторых, для выбора моды используется кольцевой резонатор. Торцевая поверхность накачивается кристаллом ванадата иттрия, легированного ионами Nd3+ (Nd:YVO4), длиной 5 мм с концентрацией 0,1%. Затем, через фазово-согласованный резонатор из трибората лития (LBO) I-типа, генерируется вторая гармоника для получения мощного одночастотного излучения с длиной волны 457 нм.лазерВыходная мощность. При мощности накачки 30 Вт выходная мощность одночастотного лазера с длиной волны 457 нм составляет 5,43 Вт, центральная длина волны — 457,06 нм, эффективность преобразования света в свет — 18,1%, а стабильность мощности в течение 1 часа — 0,464%. Лазер с длиной волны 457 нм работает в основной моде внутри резонатора. Добротность пучка вдоль осей x и y составляет 1,04 и 1,07 соответственно, а эллиптичность светового пятна — 97%.

Описание оптического пути мощного синего светаодночастотный лазер
Источником накачки служит оптоволоконный кабель.полупроводниковый лазерный диодМассив с центральной длиной волны 808 нм, непрерывной выходной мощностью 30 Вт и диаметром сердцевины волокна 400 мкм, с числовой апертурой 0,22.
Свет накачки коллимируется и фокусируется двумя плоско-выпуклыми линзами с фокусным расстоянием 20 мм, а затем падает налазерный кристаллЛазерный кристалл представляет собой кристалл Nd:YVO4 размером 3 мм × 3 мм × 5 мм с концентрацией легирования 0,1%, с антиотражающими пленками для 808 нм и 914 нм, нанесенными на оба конца. Кристалл обернут индиевой фольгой и помещен в медное зажимное приспособление. Температура медного зажимного приспособления точно контролируется полупроводниковым охладителем и установлена ​​на уровне 15℃.
Резонатор представляет собой кольцевую полость с четырьмя зеркалами, состоящую из элементов M1, M2, M3 и M4.
M1 — плоское зеркало с антиотражающими пленками с длинами волн 808 нм, 1064 нм и 1342 нм (R<0,05%) и пленкой полного отражения с длиной волны 914 нм (R>99,8%); M4 — плоское выходное зеркало с пленкой полного отражения с длиной волны 914 нм (R>99,8%), а также антиотражающими пленками с длинами волн 457 нм, 1064 нм и 1342 нм (R<0,02%); M2 и M3 — плоско-вогнутые зеркала с радиусом кривизны r = 100 мм, с антиотражающими пленками с длинами волн 1064 нм и 1342 нм (R<0,05%) на плоскости и пленками полного отражения с длинами волн 914 нм и 457 нм (R>99,8%) на вогнутой поверхности.
Полуволновая пластина и кристалл TGG, помещенные в магнитное поле, имеют антиотражающие пленки с длиной волны 914 нм (R<0,02%). Введение оптического однонаправленного устройства, состоящего из TGG и полуволновой пластины, заставляет лазер работать в кольцевом резонаторе в однонаправленном режиме, обеспечивая тем самым стабильную работу лазера в одночастотном режиме. Пластина FP представляет собой стандартный элемент толщиной 2 мм с двусторонним покрытием и коэффициентом отражения 50%, который обеспечивает вторичное сужение одночастотного режима работы лазера в резонаторе. В качестве кристалла для удвоения частоты выбран кристалл LBO размером 3 мм × 3 мм × 15 мм, покрытый антиотражающими пленками с длиной волны 914 нм и 457 нм (R<0,02%), с фазовым согласованием I-типа, углом резки θ = 90°, φ = 21,9°.