Модулятор интенсивности Rof EOM, тонкопленочный ниобат лития 20G, электрооптический модулятор

Краткое описание:

Модулятор интенсивности на основе тонкой пленки ниобата лития — это высокоэффективное электрооптическое преобразовательное устройство, разработанное нашей компанией и обладающее полными правами интеллектуальной собственности. Изделие выполнено с использованием высокоточной технологии связи, что обеспечивает сверхвысокую эффективность электрооптического преобразования. По сравнению с традиционным модулятором на основе кристалла ниобата лития, данное устройство обладает такими характеристиками, как низкое напряжение полуволны, высокая стабильность, малый размер и термооптическое управление смещением, и может широко использоваться в цифровой оптической связи, микроволновой фотонике, магистральных сетях связи и научно-исследовательских проектах в области связи.


Подробная информация о товаре

Компания Rofea Optoelectronics предлагает продукцию в области оптических и фотонных электрооптических модуляторов.

Метки товаров

Особенность

■ Полоса пропускания радиочастот до 20/40 ГГц

■ Низкое напряжение полуволны

■ Вносимые потери всего 4,5 дБ

■ Небольшой размер устройства

Модулятор интенсивности Rof EOM 20G, тонкопленочный модулятор ниобата лития, модулятор TFLN

Параметр C-диапазона

Категория

Аргумент

Сим Университет Аоинтер

Оптические характеристики

(@25°C)

Рабочая длина волны (*) λ nm X2C
~1550
Коэффициент оптического ослабления (@DC) (**) ER dB ≥ 20

Оптические потери на отражение

ОРЛ dB ≤ -27

Оптические потери на входе (*)

IL dB МАКС.: 5,5 Тип.: 4,5

Электрические характеристики (при 25°C)

Электрооптическая полоса пропускания 3 дБ (от 2 ГГц)

С21 ГГц X1: 2 X1: 4
МИН.: 18Тип.: 20 МИН.: 36Тип.: 40

ВЧ-полуволновое напряжение (при 50 кГц)

Vπ V X35 X36
МАКС.: 3.0Тип.: 2.5 МАКС.: 3,5Тип.: 3,0
Тепломодулированное смещение полуволновой мощности Пπ mW ≤ 50

Возвратные потери радиочастотного сигнала (от 2 ГГц до 40 ГГц)

S11 dB ≤ -10

Рабочее состояние

Рабочая температура

TO °С -20~70

* настраиваемый** Высокий коэффициент подавления (> 25 дБ) может быть настроен индивидуально.

Параметр O-диапазона

Категория

Аргумент

Сим Университет Аоинтер

Оптические характеристики

(@25°C)

Рабочая длина волны (*) λ nm X2O
~1310
Коэффициент оптического ослабления (@DC) (**) ER dB ≥ 20

Оптические потери на отражение

ОРЛ dB ≤ -27

Оптические потери на входе (*)

IL dB МАКС.: 5,5 Тип.: 4,5

Электрические характеристики (при 25°C)

Электрооптическая полоса пропускания 3 дБ (от 2 ГГц)

С21 ГГц X1: 2 X1: 4
МИН.: 18Тип.: 20 МИН.: 36Тип.: 40

ВЧ-полуволновое напряжение (при 50 кГц)

Vπ V X34
МАКС.: 2,5Тип.: 2,0
Тепломодулированное смещение полуволновой мощности Пπ mW ≤ 50

Возвратные потери радиочастотного сигнала (от 2 ГГц до 40 ГГц)

S11 dB ≤ -10

Рабочее состояние

Рабочая температура

TO °С -20~70

* настраиваемый** Высокий коэффициент подавления (> 25 дБ) может быть настроен индивидуально.

Порог повреждения

Если устройство превысит максимально допустимый порог повреждения, это приведет к необратимым повреждениям, и такой тип повреждений не покрывается сервисным обслуживанием.

Aаргумент

Сим Sизбираемый МИН МАКС Университет

Входная мощность ВЧ

Грех - 18 дБм Грех

Входное напряжение ВЧ

Впп -2.5 +2.5 V Впп

Среднеквадратичное напряжение на входе ВЧ

Vrms - 1.78 V Vrms

Оптическая входная мощность

Приколоть - 20 дБм Приколоть

Терморегулируемое напряжение смещения

Утеплитель - 4.5 V Утеплитель

ток смещения горячей настройки

Нагреватель - 50 mA Нагреватель

Температура хранения

TS -40 85 TS

Относительная влажность (без конденсации)

RH 5 90 % RH

Образец теста S21

ИНЖИР1: С21

ИНЖИР2: S11

Информация о заказе

Тонкопленочный модулятор интенсивности ниобата лития 20 ГГц/40 ГГц

выбираемый Описание выбираемый
X1 Электрооптическая полоса пропускания 3 дБ 2or4
X2 Рабочая длина волны O or C
X3 Максимальная входная мощность ВЧ С-диапазон5 or 6 O-группа4

  • Предыдущий:
  • Следующий:

  • Компания Rofea Optoelectronics предлагает широкий ассортимент коммерческих электрооптических модуляторов, фазовых модуляторов, модуляторов интенсивности, фотодетекторов, лазерных источников света, DFB-лазеров, оптических усилителей, EDFA, SLD-лазеров, QPSK-модуляторов, импульсных лазеров, детекторов света, балансных фотодетекторов, драйверов лазеров, волоконно-оптических усилителей, оптических измерителей мощности, широкополосных лазеров, перестраиваемых лазеров, оптических детекторов, драйверов лазерных диодов и волоконно-оптических усилителей. Мы также предлагаем множество специализированных модуляторов для индивидуальной настройки, таких как фазовые модуляторы с матрицей 1*4, модуляторы со сверхнизким Vpi и модуляторы со сверхвысоким коэффициентом подавления, которые в основном используются в университетах и ​​институтах.
    Надеемся, наша продукция окажется полезной для вас и ваших исследований.

    Сопутствующие товары