Кремниевый фотодетектор ROF 2,5 ГГц с высокой пропускной способностью и фиксированным коэффициентом усиления, сбалансированный фотодетектор
Особенность
лДлина волны: 850/1064/1310/1550 нм
лПолоса пропускания 3 дБ: 2,5 ГГц
лКоэффициент подавления синфазных помех: > 25 дБ
лВысокий коэффициент усиления
Приложение
⚫Гетеродинное обнаружение
⚫Измерение оптической задержки
⚫Система оптического волоконного датчика
⚫（OCT）
Схема SS-OCT
Параметры
Параметры производительности BPR-2 ГГц
| модель | R-BPR-2G-Б-ФК | R-BPR-2.5G-А1-ФК | R-BPR-2.5G-А2-FC |
| диапазон спектральной чувствительности | 500~880 нм | 900-1400 нм | 1200-1700nm |
| Типичная длина волны | 850 нм | 1064 нм | 1310 нм/1550 нм |
| отзывчивость | 0,45А/В@850 нм | 0.7А/В@1064 нм | 0.9А/В@1550 нм |
| Полоса пропускания 3 дБ | 50K~2GHz | 50K~2,5GHz | 50K~2,5GHz |
| Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR) | >25 дБ (типичное значение 30 дБ) | >25 дБ (типичное значение 30 дБ) | >25 дБ (типичное значение 30 дБ) |
| Усиление в состоянии высокого импеданса | 6.5×103В/В | 10.1×103В/В | 14.5×103В/В |
| Шумовое напряжение (среднеквадратичное значение) | ＜20 мВСКЗ | ＜6 мВСКЗ | ＜8 мВСКЗ |
| Максимальная амплитуда выходного сигнала при 50Ω | 5,5 Впик-пик | 5,5 Впик-пик | 5,5 Впик-пик |
| Повреждение оптической мощности | 10 мВт | ||
| Диапазон рабочих температур | -20~+70℃ | ||
| Рабочее напряжение | DC ±12 В(Оснащен малошумным адаптером питания.） | ||
| рабочий ток | 350 мА | ||
| Входной разъем | FC | ||
| Выходной разъем | СМА | ||
| выходное сопротивление | 50 Ом | ||
| Метод связи выходных сигналов | муфта переменного тока | ||
| Внешние размеры (мм) | 78,5 мм×71 мм×25,7 мм | ||
Изгиб
Характеристическая кривая
Кривая спектрального отклика. Схема внутренней цепи.
Размеры (мм)
О нас
Компания Rofea Optoelectronics представляет широкий ассортимент электрооптической продукции, включая модуляторы, фотодетекторы, лазерные источники, DFB-лазеры, оптические усилители, EDFA, SLD-лазеры, модуляцию QPSK, импульсные лазеры, фотодетекторы, балансные фотодетекторы, полупроводниковые лазеры, драйверы лазеров, волоконные соединители, импульсные лазеры, волоконные усилители, оптические измерители мощности, широкополосные лазеры, перестраиваемые лазеры, оптические задержки, электрооптические модуляторы, фотодетекторы, драйверы лазерных диодов, волоконные усилители, эрбиевые волоконные усилители и лазерные источники.
Мы также предлагаем модуляторы, изготовленные на заказ, включая фазовые модуляторы с матрицей 1*4, модуляторы со сверхнизким Vpi и сверхвысоким коэффициентом подавления, специально разработанные для университетов и исследовательских институтов.
Эти изделия обладают электрооптической полосой пропускания до 40 ГГц, диапазоном длин волн от 780 нм до 2000 нм, низкими вносимыми потерями, низким пиковым напряжением и высоким коэффициентом персептрона, что делает их подходящими для различных аналоговых радиочастотных линий связи и высокоскоростных коммуникационных приложений.
Компания Rofea Optoelectronics предлагает широкий ассортимент коммерческих электрооптических модуляторов, фазовых модуляторов, модуляторов интенсивности, фотодетекторов, лазерных источников света, DFB-лазеров, оптических усилителей, EDFA, SLD-лазеров, QPSK-модуляторов, импульсных лазеров, детекторов света, балансных фотодетекторов, драйверов лазеров, волоконно-оптических усилителей, оптических измерителей мощности, широкополосных лазеров, перестраиваемых лазеров, оптических детекторов, драйверов лазерных диодов и волоконно-оптических усилителей. Мы также предлагаем множество специализированных модуляторов для индивидуальной настройки, таких как фазовые модуляторы с матрицей 1*4, модуляторы со сверхнизким Vpi и модуляторы со сверхвысоким коэффициентом подавления, которые в основном используются в университетах и институтах.
Надеемся, наша продукция окажется полезной для вас и ваших исследований.
