-
Уникальный сверхбыстрый лазер часть вторая
Уникальный сверхбыстрый лазер, часть вторая Дисперсия и распространение импульса: Дисперсия групповой задержки Одной из самых сложных технических проблем, возникающих при использовании сверхбыстрых лазеров, является поддержание длительности сверхкоротких импульсов, изначально испускаемых лазером. Сверхбыстрые импульсы очень восприимчивы...Читать далее -
Уникальный сверхбыстрый лазер часть первая
Уникальный сверхбыстрый лазер, часть первая Уникальные свойства сверхбыстрых лазеров Сверхкороткая длительность импульса сверхбыстрых лазеров придает этим системам уникальные свойства, которые отличают их от длинноимпульсных или непрерывно-волновых (CW) лазеров. Для того чтобы сгенерировать такой короткий импульс, требуется широкая полоса пропускания спектра...Читать далее -
ИИ позволяет оптоэлектронным компонентам осуществлять лазерную связь
ИИ позволяет оптоэлектронным компонентам осуществлять лазерную связь. В области производства оптоэлектронных компонентов искусственный интеллект также широко используется, в том числе: для структурной оптимизации, проектирования оптоэлектронных компонентов, таких как лазеры, управления производительностью и связанными с ними точными характеристиками...Читать далее -
Поляризация лазера
Поляризация лазера «Поляризация» — общая характеристика различных лазеров, которая определяется принципом формирования лазера. Лазерный луч создается вынужденным излучением частиц светоизлучающей среды внутри лазера. Вынужденное излучение имеет ре...Читать далее -
Плотность мощности и плотность энергии лазера
Плотность мощности и плотность энергии лазера Плотность — это физическая величина, с которой мы очень хорошо знакомы в нашей повседневной жизни, плотность, с которой мы сталкиваемся чаще всего, — это плотность материала, формула ρ=m/v, то есть плотность равна массе, деленной на объем. Но плотность мощности и плотность энергии ...Читать далее -
Важные параметры эксплуатационных характеристик лазерной системы
Важные параметры характеристики производительности лазерной системы 1. Длина волны (единица: нм в мкм) Длина волны лазера представляет собой длину электромагнитной волны, переносимой лазером. По сравнению с другими типами света, важной особенностью лазера является то, что он монохроматичен, ...Читать далее -
Технология волоконного пучка повышает мощность и яркость синего полупроводникового лазера
Технология пучка волокон повышает мощность и яркость синего полупроводникового лазера. Формирование луча с использованием той же или близкой длины волны лазерного блока является основой для комбинации нескольких лазерных лучей с различными длинами волн. Среди них пространственное связывание лучей заключается в том, чтобы накладывать несколько лазерных лучей в спе...Читать далее -
Введение в лазер с торцевым излучением (EEL)
Введение в Edge Emitting Laser (EEL) Для получения мощного выходного сигнала полупроводникового лазера современная технология заключается в использовании структуры с граничным излучением. Резонатор полупроводникового лазера с граничным излучением состоит из естественной поверхности диссоциации полупроводникового кристалла, а...Читать далее -
Высокопроизводительная сверхбыстрая лазерная технология на пластинах
Высокопроизводительная сверхбыстрая лазерная технология для пластин Мощные сверхбыстрые лазеры широко используются в передовых производственных областях, информатике, микроэлектронике, биомедицине, национальной обороне и военной сфере, а соответствующие научные исследования имеют жизненно важное значение для развития национальных научных и технологических иннова...Читать далее -
Аттосекундный рентгеновский импульсный лазер класса TW
Аттосекундный рентгеновский импульсный лазер класса TW Аттосекундный рентгеновский импульсный лазер с высокой мощностью и короткой длительностью импульса является ключом к достижению сверхбыстрой нелинейной спектроскопии и рентгеновской дифракционной визуализации. Исследовательская группа в США использовала каскад двухступенчатых рентгеновских лазеров на свободных электронах для вывода...Читать далее -
Введение в вертикальный резонатор поверхностно-излучающего полупроводникового лазера (VCSEL)
Введение в вертикальный резонатор поверхностно-излучающего полупроводникового лазера (VCSEL) Вертикальные внешние резонаторы поверхностно-излучающего лазера были разработаны в середине 1990-х годов для решения ключевой проблемы, которая препятствовала развитию традиционных полупроводниковых лазеров: как получить лазерное излучение высокой мощности с...Читать далее -
Возбуждение вторых гармоник в широком спектре
Возбуждение вторых гармоник в широком спектре. С момента открытия нелинейных оптических эффектов второго порядка в 1960-х годах, это вызвало широкий интерес исследователей, и до сих пор, на основе второй гармоники и частотных эффектов, было получено от крайнего ультрафиолетового до дальнего инфракрасного диапазона...Читать далее
