Электрооптический модулятор Rof 1310 нм модулятор интенсивности 2.5G модулятор mach-zehnder

Краткое описание:

Модулятор интенсивности LiNbO3 (модулятор Маха-Цендера) широко используется в высокоскоростных оптических системах связи, лазерном зондировании и системах ROF из-за хорошего электрооптического эффекта. Серия R-AM, основанная на структуре MZ и конструкции X-cut, имеет стабильные физические и химические характеристики, которые могут применяться как в лабораторных экспериментах, так и в промышленных системах.

Напишите нам письмо СКАЧАТЬ

Подробности продукта

Rofea Optoelectronics предлагает оптические и фотонные электрооптические модуляторы.

Теги продукта

Особенность

Низкие вносимые потери
Пропускная способность: 2,5 ГГц
Низкое полуволновое напряжение
Возможность настройки

Приложение

Системы РОФ
Квантовое распределение ключей
Лазерные сенсорные системы
Боковая модуляция

Оптические параметры

Параметр		Символ	Мин.	Тип	Макс	Единица
Рабочая длина волны		l	1290	1310	1330	nm
Вносимые потери		IL		4	5	dB
Оптические возвратные потери		ЛОР			-45	dB
Коэффициент затухания переключателя @DC		ER@DC	20	23		dB
Коэффициент динамического затухания		ДЕР		13		dB
Оптическое волокно	Входной порт		PM-волокно (125/250 мкм)
	выходной порт		Волокно PM или волокно SM (125/250 мкм)
Интерфейс оптоволокна			FC/PC, FC/APC или настройка

Электрические параметры

Параметр		Символ	Мин.	Тип	Макс	Единица
Рабочая полоса пропускания (-3 дБ)		С21		2.5		ГГц
Полуволновое напряжение	RF	VΠ@1КГц		3	4	V
Полуволновое напряжение	Предвзятость	VΠ@1КГц		3.5	4.5	V
Электрические возвратные потери		С11		-12	-10	dB
Входное сопротивление	RF	ЗРФ	50			W
Входное сопротивление	Предвзятость	ЗБИАС	1M			W
Электрический интерфейс			SMA(ж)

Предел

Параметр	Символ	Единица	Мин.	Тип	Макс
Входная оптическая мощность	Пин,Макс	дБм			20
Входная мощность ВЧ		дБм			28
напряжение смещения	Vbias	V	-15		15
Рабочая температура	Вершина	℃	-10		60
Температура хранения	Тст	℃	-40		85
Влажность	RH	%	5		90

Информация о заказе

R	AM	15	10G	XX	XX
	Тип:	Длина волны：	Рабочая полоса пропускания：	Тип входного-выходного волокна:	Оптический разъем：
	AM---Интенсивность	08---850 нм	2.5G---10ГГц	ПП---ПМ/ПМ	FA---FC/APC
	Модулятор	10---1060 нм	10G---10 ГГц	PS---PM/SMF	ФП---ФК/ПК
		13---1310 нм	20G---10 ГГц		XX---Настройка
		15---1550 нм

Механическая схема

ПОРТ	Символ	Примечание
In	Оптический входной порт	PM-волокно (125 мкм/250 мкм)
Вне	Оптический выходной порт	Опция PM и SM волокна
RF	Входной порт ВЧ	SMA(ж)
Предвзятость	Порт управления смещением	1,2 Смещение, 34-Н/З

Предыдущий: Электрооптический модулятор Rof 1550 нм AM серии модулятор интенсивности 40G

Следующий: Электрооптический модулятор Rof 850 нм Фазовый модулятор 10G

Rofea Optoelectronics предлагает линейку коммерческих электрооптических модуляторов, фазовых модуляторов, модуляторов интенсивности, фотодетекторов, лазерных источников света, DFB-лазеров, оптических усилителей, EDFA, SLD-лазера, модуляции QPSK, импульсного лазера, детектора света, сбалансированного фотодетектора, драйвера лазера, оптоволоконного усилителя, оптического измерителя мощности, широкополосного лазера, настраиваемого лазера, оптического детектора, драйвера лазерного диода, волоконного усилителя. Мы также предоставляем множество специальных модуляторов для настройки, таких как фазовые модуляторы 1*4 матрицы, модуляторы со сверхнизким Vpi и сверхвысоким коэффициентом затухания, которые в основном используются в университетах и институтах.
Надеемся, наша продукция будет полезна вам и вашим исследованиям.