Модулятор Rof EOM 40 ГГц Фазовый модулятор тонкопленочный модулятор из ниобата лития
Особенность
■ Полоса пропускания радиочастот до 40 ГГц
■ Полуволновое напряжение от низкого до 3 В
■ Вносимые потери всего 4,5 дБ
■ Небольшой размер устройства
Параметр
| Категория | Аргумент | Сим | уни | Аойнтер | |
|
Оптические характеристики (при 25°С)
| Рабочая длина волны (*) | λ | nm | ~1550 | |
| Оптические возвратные потери
| ЛОР | dB | ≤ -27 | ||
| Оптические вносимые потери (*) | IL | dB | МАКС.: 5,5 Тип：4.5 | ||
| Электрические свойства (при 25°C)
| Электрооптическая полоса пропускания 3 дБ (от 2 ГГц | С21 | ГГц | Х1: 2 | Х1: 4 |
| МИН：18 Тип：20 | МИН：36 Тип：40 | ||||
| Напряжение полуволны ВЧ (@50 кГц)
| Vπ | V | МАКС.: 3,5 Тип：3.0 | ||
| Потери на отражение (от 2 ГГц до 40 ГГц)
| С11 | dB | ≤ -10 | ||
| Рабочее состояние
| Рабочая температура | TO | °С | -20~70 | |
* настраиваемый
Порог повреждения
| Аргумент | Сим | Выбираемый | МИН | МАКС | уни |
| Входная мощность ВЧ | Грех | Х2: 4 | - | 18 | дБм |
| Х2: 5 | - | 29 | |||
| Входное колебательное напряжение ВЧ | Впп | Х2: 4 | -2.5 | +2.5 | V |
| Х2: 5 | -8.9 | +8.9 | |||
| Входное среднеквадратичное напряжение ВЧ | Vrms | Х2: 4 | - | 1.78 | V |
| Х2: 5 | - | 6.30 | |||
| Температура хранения | Приколоть | - | - | 20 | дБм |
| Входная оптическая мощность | Ts | - | -40 | 85 | ℃ |
| Относительная влажность (без конденсации) | RH | - | 5 | 90 | % |
Если устройство превысит максимальный порог повреждения, это приведет к необратимому повреждению устройства, и такой тип повреждения устройства не покрывается техническим обслуживанием.
Тестовый образец S21 (типичное значение 40 ГГц)
С21&С11
Информация о заказе
Тонкопленочный ниобат лития фазовый модулятор 20 ГГц/40 ГГц
| выбираемый | Описание | выбираемый |
| X1 | Электрооптическая полоса пропускания 3 дБ | 2 или 4 |
| X2 | Максимальная входная мощность РЧ | 4 или 5
|
О нас
Компания Rofea Optoelectronics предлагает ряд коммерческих продуктов, включая электрооптические модуляторы, фазовые модуляторы, фотодетекторы, лазерные источники, DFB-лазеры, оптические усилители, EDFA, SLD-лазеры, QPSK-модуляцию, импульсные лазеры, фотодетекторы, сбалансированные фотодетекторы, полупроводниковые лазеры, лазерные драйверы, волоконные соединители, импульсные лазеры, волоконные усилители, оптические измерители мощности, широкополосные лазеры, перестраиваемые лазеры, оптические линии задержки, электрооптические модуляторы, оптические детекторы, драйверы лазерных диодов, волоконные усилители, усилители на основе эрбиевого волокна и лазерные источники света.
Фазовый модулятор LiNbO3 широко используется в высокоскоростных оптических системах связи, лазерном зондировании и системах ROF из-за хорошего электрооптического эффекта. Серия R-PM, основанная на Ti-диффузионной и APE-технологии, имеет стабильные физические и химические характеристики, которые могут удовлетворить требования большинства приложений в лабораторных экспериментах и промышленных системах.
Rofea Optoelectronics предлагает линейку коммерческих электрооптических модуляторов, фазовых модуляторов, модуляторов интенсивности, фотодетекторов, лазерных источников света, DFB-лазеров, оптических усилителей, EDFA, SLD-лазера, модуляции QPSK, импульсного лазера, детектора света, сбалансированного фотодетектора, драйвера лазера, оптоволоконного усилителя, оптического измерителя мощности, широкополосного лазера, настраиваемого лазера, оптического детектора, драйвера лазерного диода, оптоволоконного усилителя. Мы также предоставляем множество специальных модуляторов для настройки, таких как фазовые модуляторы 1*4 матрицы, модуляторы со сверхнизким Vpi и сверхвысоким коэффициентом затухания, которые в основном используются в университетах и институтах.
Надеемся, наша продукция будет полезна вам и вашим исследованиям.
