Модулятор Rof EOM 40 ГГц, фазовый модулятор, тонкопленочный модулятор на основе ниобата лития.
Особенность
■ Полоса пропускания радиочастотного сигнала до 40 ГГц
■ Напряжение полуволны низкое, до 3 В
■ Вносимые потери всего 4,5 дБ
■ Небольшой размер устройства
Параметр
| Категория | Аргумент | Сим | Университет | Аоинтер | |
|
Оптические характеристики (@25°C)
| Рабочая длина волны (*) | λ | nm | ~1550 | |
| Оптические потери на отражение
| ОРЛ | dB | ≤ -27 | ||
| Оптические потери на входе (*) | IL | dB | МАКС.: 5,5 Тип: 4.5 | ||
| Электрические характеристики (при 25°C)
| Электрооптическая полоса пропускания 3 дБ (от 2 ГГц) | С21 | ГГц | X1: 2 | X1: 4 |
| МИН.: 18 Тип: 20 | МИН.: 36 Тип: 40 | ||||
| ВЧ-полуволновое напряжение (при 50 кГц)
| Vπ | V | МАКС.: 3,5 Тип: 3.0 | ||
| Возвратные потери радиочастотного сигнала (от 2 ГГц до 40 ГГц)
| S11 | dB | ≤ -10 | ||
| Рабочее состояние
| Рабочая температура | TO | °С | -20~70 | |
* настраиваемый
Порог повреждения
| Аргумент | Сим | Выбираемый | МИН | МАКС | Университет |
| Входная мощность ВЧ | Грех | X2: 4 | - | 18 | дБм |
| X2: 5 | - | 29 | |||
| Входное напряжение ВЧ | Впп | X2: 4 | -2.5 | +2.5 | V |
| X2: 5 | -8.9 | +8.9 | |||
| Среднеквадратичное напряжение на входе ВЧ | Vrms | X2: 4 | - | 1.78 | V |
| X2: 5 | - | 6.30 | |||
| Температура хранения | Приколоть | - | - | 20 | дБм |
| Оптическая входная мощность | Ts | - | -40 | 85 | ℃ |
| Относительная влажность (без конденсации) | RH | - | 5 | 90 | % |
Если устройство превысит максимально допустимый порог повреждения, это приведет к необратимым повреждениям, и такой тип повреждений не покрывается сервисным обслуживанием.
Образец теста S21 (типичное значение для 40 ГГц)
S21&S11
Информация о заказе
Фазовый модулятор на основе тонкопленочного ниобата лития 20 ГГц/40 ГГц
| выбираемый | Описание | выбираемый |
| X1 | Электрооптическая полоса пропускания 3 дБ | 2 или 4 |
| X2 | Максимальная входная мощность ВЧ | 4 или 5
|
О нас
Компания Rofea Optoelectronics предлагает широкий ассортимент коммерческой продукции, включая электрооптические модуляторы, фазовые модуляторы, фотодетекторы, лазерные источники, DFB-лазеры, оптические усилители, EDFA, SLD-лазеры, модуляцию QPSK, импульсные лазеры, фотодетекторы, балансные фотодетекторы, полупроводниковые лазеры, драйверы лазеров, волоконные соединители, импульсные лазеры, волоконные усилители, оптические измерители мощности, широкополосные лазеры, перестраиваемые лазеры, оптические линии задержки, электрооптические модуляторы, оптические детекторы, драйверы лазерных диодов, волоконные усилители, эрбиевые волоконные усилители и лазерные источники света.
Фазовый модулятор на основе LiNbO3 широко используется в высокоскоростных оптических системах связи, лазерных датчиках и системах ROF благодаря своему хорошему электрооптическому эффекту. Серия R-PM, основанная на технологии диффузии титана и APE, обладает стабильными физико-химическими характеристиками, что позволяет удовлетворить требования большинства применений в лабораторных экспериментах и промышленных системах.
Компания Rofea Optoelectronics предлагает широкий ассортимент коммерческих электрооптических модуляторов, фазовых модуляторов, модуляторов интенсивности, фотодетекторов, лазерных источников света, DFB-лазеров, оптических усилителей, EDFA, SLD-лазеров, QPSK-модуляторов, импульсных лазеров, детекторов света, балансных фотодетекторов, драйверов лазеров, волоконно-оптических усилителей, оптических измерителей мощности, широкополосных лазеров, перестраиваемых лазеров, оптических детекторов, драйверов лазерных диодов и волоконно-оптических усилителей. Мы также предлагаем множество специализированных модуляторов для индивидуальной настройки, таких как фазовые модуляторы с матрицей 1*4, модуляторы со сверхнизким Vpi и модуляторы со сверхвысоким коэффициентом подавления, которые в основном используются в университетах и институтах.
Надеемся, наша продукция окажется полезной для вас и ваших исследований.
