Модулятор Rof EO, фазовый модулятор, тонкопленочный модулятор на основе ниобата лития 20G
Особенность
■ Полоса пропускания радиочастот до 20/40 ГГц
■ Полуволновое напряжение от 3 В
■ Вносимые потери всего 4,5 дБ
■ Небольшой размер устройства
Параметр
| Категория | Аргумент | Сим | Универ | Аойнтер | |
| Оптические характеристики (при 25°С) | Рабочая длина волны (*) | λ | nm | ~1550 | |
| Оптические возвратные потери
| ЛОР | dB | ≤ -27 | ||
| Оптические вносимые потери (*) | IL | dB | МАКС：5.5Тип：4.5 | ||
| Электрические свойства (при 25°C)
| Электрооптическая полоса пропускания 3 дБ (от 2 ГГц | С21 | ГГц | Х1: 2 | Х1: 4 |
| МИН：18Тип：20 | МИН：36Тип：40 | ||||
| Полуволновое напряжение ВЧ (при 50 кГц)
| Vπ | V | МАКС：3.5Тип：3.0 | ||
| Потери на отражение (от 2 ГГц до 40 ГГц)
| С11 | dB | ≤ -10 | ||
| Рабочее состояние
| Рабочая температура | TO | °С | -20~70 | |
* настраиваемый
Порог повреждения
| Aаргумент | Сим | Sвыборный | МИН | МАКС | Универ |
| Входная мощность ВЧ | Грех | Х2: 4 | - | 18 | дБм |
| Х2: 5 | - | 29 | |||
| Входное напряжение ВЧ-размаха | Впп | Х2: 4 | -2,5 | +2,5 | V |
| Х2: 5 | -8.9 | +8.9 | |||
| Входное среднеквадратичное напряжение ВЧ | Vrms | Х2: 4 | - | 1.78 | V |
| Х2: 5 | - | 6.30 | |||
| Температура хранения | Приколоть | - | - | 20 | дБм |
| Оптическая входная мощность | Ts | - | -40 | 85 | ℃ |
| Относительная влажность (без конденсации) | RH | - | 5 | 90 | % |
Если повреждение устройства превысит максимальный порог, это приведет к необратимому повреждению устройства, и такой тип повреждения устройства не покрывается техническим обслуживанием.
Тестовый образец S21 (типичное значение 40 ГГц)
S21&С11
Информация о заказе
Тонкопленочный фазовый модулятор на основе ниобата лития 20 ГГц/40 ГГц
| выбираемый | Описание | выбираемый |
| X1 | Электрооптическая полоса пропускания 3 дБ | 2or4 |
| X2 | Максимальная входная мощность РЧ | 4or5 |
О нас
Компания Rofea Optoelectronics предлагает широкий ассортимент коммерческой продукции, включая электрооптические модуляторы, фазовые модуляторы, фотодетекторы, лазерные источники, DFB-лазеры, оптические усилители, EDFA, SLD-лазеры, QPSK-модуляцию, импульсные лазеры, фотодетекторы, балансные фотодетекторы, полупроводниковые лазеры, лазерные драйверы, волоконные ответвители, импульсные лазеры, волоконные усилители, измерители оптической мощности, широкополосные лазеры, перестраиваемые лазеры, оптические линии задержки, электрооптические модуляторы, оптические детекторы, драйверы лазерных диодов, волоконные усилители, усилители на эрбиевом волокне и источники лазерного излучения.
Фазовый модулятор на основе LiNbO3 широко используется в высокоскоростных оптических системах связи, лазерном зондировании и системах ROF благодаря хорошему электрооптическому эффекту. Серия R-PM, основанная на технологиях диффузии Ti и APE, обладает стабильными физико-химическими характеристиками, что позволяет использовать её в большинстве лабораторных экспериментов и промышленных системах.
Компания Rofea Optoelectronics предлагает линейку продукции, включающую электрооптические модуляторы, фазовые модуляторы, модуляторы интенсивности, фотодетекторы, лазерные источники света, DFB-лазеры, оптические усилители, EDFA-лазеры, SLD-лазеры, QPSK-модуляторы, импульсные лазеры, детекторы света, балансные фотодетекторы, драйверы лазеров, волоконно-оптические усилители, измерители оптической мощности, широкополосные лазеры, перестраиваемые лазеры, оптические детекторы, драйверы лазерных диодов, волоконно-оптические усилители. Мы также предлагаем множество специализированных модуляторов для индивидуальной настройки, таких как фазовые модуляторы с матрицей 1*4, модуляторы со сверхнизким Vpi и сверхвысоким коэффициентом затухания, которые в основном используются в университетах и институтах.
Надеемся, что наши продукты будут полезны вам и вашим исследованиям.
